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1、与碳化硅晶体钻石一样，它是一种具有空间网络结构的原子晶体，如下图所示。

2、一个C和四个Si形成正四面体结构，一个晶胞中有四个碳原子和四个Si原子。

3、作为唯一稳定的C和si化合物，SiC的晶格结构由两个密集排列的亚晶格组成。每个Si(或C)原子通过定向的强四面体SP3键与周围的C(si)原子结合。SiC的四面体键虽然很强，但是层错形成能很低，这就决定了SiC的多型现象。已经发现SiC具有超过250种多型体，并且每个多型体具有C/Si双原子层。最常见的多型体是立方3C碳化硅和六方4H，6H碳化硅。不同的多晶型物具有不同的电学和光学性质。SiC的带隙是Si的2-3倍，热导率是Si的4.4倍，临界击穿电场是Si的8倍，电子的饱和漂移速度是Si的2倍。SiC的这些特性使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件的首选材料，可用于地面核反应堆系统监测、原油勘探、环境监测、航空、航天、雷达、通信系统、大功率电子变换器和汽车电机等极端环境中。此外，SiC制成的LED的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光学信息显示系统和光学集成电路等领域具有广阔的应用前景。

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